기술개요 |
본 발명은 실리콘 카바이드 반도체소자의 새로운 제조방법에 관한 것으로서, 특히 실리콘 카바이드에 이온주입
후 열처리에 필요한 통상 1700
o
C 내외의 고온을 견딜 수 있는 내열성 합금 또는 내열성 화합물을 전극재료로 사
용하여 실리콘 카바이드 수직형 반도체소자의 제작과정을 간략화 하는 것이다. 여기에서, 내열성이 우수한 물질
은 티타늄-텅스텐(TiW) 합금, 탄탈륨 카바이드(tantalum carbide), 티타늄 카바이드(titanium carbide), 텅스텐
카바이드(tungsten carbide), 티타늄 실리사이드(Titaniium silicide), 탄탈륨 실리사이드(Tantalum silicide),
텅스텐 실리사이드(tungsten silicide) 등을 전극재료로 사용하는 방법을 제시한다. 이에 따라, 이온주입 열처리
를 진행한 후 전극을 형성했던 기존의 방법과는 달리 전극재료를 실리콘 카바이드 위에 형성한 후에 이온주입 열
처리를 실시할 수 있으며, 특히 메사(mesa) 구조를 갖고 있는 실리콘 카바이드 수직형 반도체소자의 제작과정을
간소화할 수 있는 장점이 있다. |