| 기술명 |
금속 팁에 직접 탄소나노튜브를 성장한 무버퍼층 구조의 탄소나노튜브 음극의 제조방법 |
| 기술분야 |
전기/전자 |
| 기술개요 |
본 발명은 코발트 팁에 별도의 버퍼층(buffer layer) 없이 직접 탄소나노튜브를 성장시켜 접촉(contact) 저항을
저하시키고 전계방출에 따른 열발생을 줄여 탄소나노튜브의 점착력(adhesion)을 향상시킴으로써 장시간 전계방출
동작 시 긴 수명을 가질 수 있도록 한 탄소나노튜브 음극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른, 탄
소나노튜브 음극의 제조 방법은, 코발트(cobalt, Co) 와이어(wire)의 끝이 원뿔(conical) 모양이 되도록 한 코발
트 팁을 제작하는 단계 및 상기 코발트 팁에 버퍼층 없이 직접 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함한다. |
| 기술개발상태 |
기술개발완료 |
| 기술개발국가 |
국내 |
| 희망거래유형 |
기술매매 |
| 기술이전조건 |
협의 |
| 기술판매자정보 |
특허법인 부경 |
| 주소 |
부산광역시 연제구 법원남로15번길 12, 6층(거제동,대한타워빌딩) |
| 연락처 |
전화번호 : 051-503-6633 / E-Mail : pat@pnkpat.com |
| 기술원본 |
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