| 기술개요 |
본 발명은 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법에 관한 것으로, 금속기판을 양극 산화시켜
산화물 금속기판을 형성시키는 제1단계와, 포토리소그라피 공정을 이용하여 상기 산화물 금속기판 상면에 포토레
지스트층 패턴을 형성시키는 제2단계와; 전해액을 이용하여 상기 포토레지스트층 패턴이 형성된 산화물 금속기판
을 에칭시켜 산화물 금속기판에 수용공간을 형성시키는 제3단계와; 상기 포토레지스트층을 제거시키고, 상기 산
화물 금속기판 상면에 메탈 마스크를 위치시키는 제4단계와; 상기 제4단계를 거친 산화물 금속기판의 표면에 촉
매금속층을 형성시키는 제5단계와; 상기 제5단계를 거친 산화물 금속기판의 촉매금속층 상면에 탄소나노튜브층을
형성시키고 메탈마스크를 제거시켜 상기 수용공간 내부에만 탄소나노튜브층이 존재하도록 하는 제6단계;를 포함
하여 구성되는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법을 기술적 요지로 한다.
이에 따라, 양극산화에 의해 형성된 산화물의 격벽 표면에 주기적 혹은 일정 패턴을 갖는 형태의 크기와 모양을
가지고 표면을 일정 깊이로 식각하여 산화물 격벽사이에 수용공간을 형성하고 형성된 내부의 수용공간에 탄소나
노튜브 전자방출원을 형성시킴에 의해 외부 이온 및 입자 등의 충격에 의해 전자방출원이 훼손되는 것을 방지시
킬 수 있음은 물론, 금속 표면의 산화물 격벽으로 인하여 수용공간에 형성된 탄소나노튜브 전자방출원의 거리를
조정할 수 있어서 스크린효과(Screen Effect)의 방지로 인한 전류방출효율의 증대를 꾀할 수 있으며 산화물 격벽
이 절연체로써 역할을 할 수 있기 때문에 우수한 절연성도 담보할 수 있는 이점이 있다. |
