| 기술명 |
실리카 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 패턴 제조방법 및 이를 이용한 전계방출 음전극 |
| 기술분야 |
화학/환경 |
| 기술개요 |
본 발명은 실리콘 기판에 탄소나노튜브를 이용하여 전계방출에 유리한 패턴을 제조하기 위한 탄소나노튜브 패턴
의 제조방법 및 이를 이용한 전계방출 음전극에 관한 것으로, 세척된 실리콘 기판 상에 실리카 나노입자를 도포
하는 제1단계와; 상기 실리카 나노입자를 도포한 실리콘 기판 상에 Al을 도포하여 Al버퍼층을 형성하고, 그 위에
Fe를 도포하여 Fe촉매층을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계 후 환원 열처리를 수행하여 상기 실리콘 기판 상에
형성된 Al버퍼층으로 실리콘이 확산되도록 하여, 실리콘 기판 상의 Fe촉매층은 불활성화시키고, 실리카 나노입자
상의 Fe촉매층은 활성화시키는 제3단계와; 상기 제3단계 후 탄소나노튜브를 도포하여 Fe촉매층이 활성화된 실리
카 나노입자 상에만 선택적으로 탄소나노튜브를 성장시켜 패턴화하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징
으로 하는 실리카 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 패턴 제조방법 및 이를 이용한 전계방출 음전극을 기술적 요
지로 한다. 이에 따라 실리콘 기판 상의 실리카 나노입자 상에만 탄소나노튜브가 선택적으로 성장하게 되므로
sub-micrometer 수준의 탄소나노튜브를 수직으로 성장시키는 패턴의 제조가 가능하여 고전류형 전계방출 음전극
(field emission cold cathode)에 활용할 수 있는 이점이 있다. |
| 기술개발상태 |
기술개발완료 |
| 기술개발국가 |
국내 |
| 희망거래유형 |
기술매매 |
| 기술이전조건 |
협의 |
| 기술판매자정보 |
특허법인 부경 |
| 주소 |
부산광역시 연제구 법원남로15번길 12, 6층(거제동,대한타워빌딩) |
| 연락처 |
전화번호 : 051-503-6633 / E-Mail : pat@pnkpat.com |
| 기술원본 |
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