| 기술명 |
Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계 방출 소자 |
| 기술분야 |
전기/전자 |
| 기술개요 |
본 발명은 고출력이 필요한 전계 방출 소자의 제조방법 및 그 전계 방출 소자에 관한 것으로서, 실리콘 기판을
마이크로 패터닝하여 규칙적으로 배열된 Si 팁을 형성하고, 상기 Si 팁 주위에는 절연막을 형성하는 전계 방출
소자의 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 기판을 고온 승온 분위기에 두고, C를 함유한 가스를 주입하여 Si 팁의
상단부가 SiC로 변환하여 생성되는 것을 특징으로 하는 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자의 제조방법 및 이
에 의해 제조된 Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 따라 Si 팁 표면의 SiC로의
변환에 의해 고출력 전계 방출이 발생하는 전자의 역충돌에 의한 팁의 열화를 기계적 강도가 뛰어난 SiC로 대체
함에 따라 억제하는 있어 전계 방출 소자로서의 Si 팁의 장기신뢰성을 확보할 수 있는 이점이 있다. |
| 기술개발상태 |
기술개발완료 |
| 기술개발국가 |
국내 |
| 희망거래유형 |
기술매매 |
| 기술이전조건 |
협의 |
| 기술판매자정보 |
특허법인 부경 |
| 주소 |
부산광역시 연제구 법원남로15번길 12, 6층(거제동,대한타워빌딩) |
| 연락처 |
전화번호 : 051-503-6633 / E-Mail : pat@pnkpat.com |
| 기술원본 |
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